型号:NP32N055SHE-E1-AY | 类别:FET - 单 | 制造商:Renesas Electronics America |
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 描述:MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 |
系列 | - |
制造商 | Renesas Electronics America |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 32A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 25 毫欧 @ 16A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 32nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1600pF @ 25V |
功率_最大 | 1.2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | TO-252(MP-3ZK) |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
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TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
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Renesas Electronics America
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
MOSFET P-CH -40V -36A TO-252
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Taiyo Yuden
1812(4532 公制)
CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1812
- NOJB226M006RWJ
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1210(3528 公制)
CAP NIOB OXIDE 22UF 6.3V 1210
- MGA-64606-TR1G
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Avago Technologies US Inc.
6-UFDFN 裸露焊盘
IC RF AMP LNA GAAS MMIC 6-UTP